| 摘要 |
본 발명은 소정 원소, 탄소 및 질소를 포함하는 막을 형성할 때, 막 중에서의 조성의 제어성을 높일 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 제1 처리 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3 원소로 구성되는 제2 처리 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소를 포함하는 제3 처리 가스를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 소정 원소, 탄소 및 질소를 포함하는 막을 기판 위에 형성하는 공정을 갖는다. |
