| 摘要 |
Trench-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (TMOSFET) mit geschlossenen Zellen (300; 400), der folgendes umfasst: einen Drain-Bereich (335, 340; 435, 440); einen Körper-Bereich (330; 430), der über dem Drain-Bereich (335, 340; 435, 440) angeordnet ist; einen Gate-Bereich (320; 420), der in dem Körper-Bereich (330, 430) angeordnet ist; einen Gate-Isolator-Bereich (325; 425), der um einen Umfang des Gate-Bereichs (320; 420) herum angeordnet ist; eine Mehrzahl von Source-Bereichen (315; 415), die entlang der Oberfläche des Körper-Bereichs (330; 430) entlang eines Umfangs des Gate-Isolator-Bereichs (325; 425) angeordnet sind; wobei ein erster Abschnitt des Gate-Bereichs (320; 420) und ein erster Abschnitt des Gate-Isolator-Bereichs (325; 425) als parallele, längliche Strukturen (322; 421) eines ersten Satzes einer Mehrzahl von Gräben ausgebildet sind; wobei ein zweiter Abschnitt des Gate-Bereichs (320; 420) und ein zweiter Abschnitt des Gate-Isolator-Bereichs (325; 425) als zu den parallelen Strukturen (322; 421) normale Strukturen (321; 422) eines zweiten Satzes einer Mehrzahl von Gräben ausgebildet sind; wobei ein erster Abschnitt (350; 451) des Drain-Bereichs (335, 340; 435, 440) sich bis zu einem Boden der parallelen Strukturen (322; 421) erstreckt und wobei ein zweiter Abschnitt (331; 450) des Drain-Bereichs (335, 340; 435, 440) von den zu den parallelen Strukturen (322; 421) normalen Strukturen (321; 422) getrennt ist, wobei eine Dotierung von demselben Typ wie eine Dotierung des Körper-Bereichs (330; 430) in ... |
