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发明名称
Methode zur Herstellung eines Bipolartransistors mit Eigenschaften zur Unterdrückung der Verschlechterung von Transistor-Charakteristiken
摘要
申请公布号
DE69901752(D1)
申请公布日期
2002.07.18
申请号
DE19996001752
申请日期
1999.03.30
申请人
NEC CORP., TOKIO/TOKYO
发明人
YUU, UEDA
分类号
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331
主分类号
H01L29/73
代理机构
代理人
主权项
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