发明名称 Methode zur Herstellung eines Bipolartransistors mit Eigenschaften zur Unterdrückung der Verschlechterung von Transistor-Charakteristiken
摘要
申请公布号 DE69901752(D1) 申请公布日期 2002.07.18
申请号 DE19996001752 申请日期 1999.03.30
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 YUU, UEDA
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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