发明名称 |
一种像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种像素结构,包括一基底、一隔离层、一保护层、一像素电极、一共用电压连接线及一选择线。隔离层形成于基底之上,隔离层之上为一保护层,像素电极在保护层之上。共用电压连接线位于基底与隔离层之间,而选择线也在基底与隔离层之间。共用电压连接线与像素电极形成一储存电容,选择线与像素电极形成一耦合电容。本发明的像素结构,因为液晶电容从耦合电容得到一个脉冲信号,使得像素跨压的均方根高于临界电压,使白态电压可以更接近临界电压,因此提升了液晶在白画面时的光穿透度。 |
申请公布号 |
CN101655626A |
申请公布日期 |
2010.02.24 |
申请号 |
CN200910171161.6 |
申请日期 |
2007.05.15 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
简耀黉;王智杰;陈司芬;郑戎杰;陈丽珊 |
分类号 |
G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/133(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
骆希聪 |
主权项 |
1.一种像素结构,包括:一基底;一隔离层,形成于该基底之上;一保护层,形成于该隔离层之上;一像素电极,形成于该保护层之上;一共用电压连接线,形成于该基底与该隔离层之间;以及一选择线,形成于该基底与该隔离层之间;其中,该共用电压连接线与该像素电极形成一储存电容,该选择线与该像素电极形成一耦合电容。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |