| 摘要 |
Es wird eine kleine Halbleitereinrichtung bereitgestellt, die eine Diodenvorwärtsspannung hat, die sich weniger wahrscheinlich aufgrund eines Gatepotenzials ändert. Eine Anode und eine obere IGBT-Struktur (Emitter und Körper) sind in einem Bereich in dem Substrat bereitgestellt, der an der oberen Oberfläche außen liegt. Ein Graben, eine Gateisolationsschicht und eine Gateelektrode erstrecken sich entlang einer Grenze der Anode und der oberen IGBT-Struktur. Eine Kathode und ein Kollektor sind in einem Bereich in dem Substrat bereitgestellt, der an der unteren Oberfläche außen liegt. Ein Driftgebiet ist zwischen einer oberen Struktur und einer unteren Struktur bereitgestellt. Ein Kristalldefektgebiet erstreckt sich über das Driftgebiet oberhalb der Kathode und das Driftgebiet oberhalb des Kollektors. Wenn eine Dicke des Substrats als x [μm] definiert ist und eine Breite eines Abschnitts des Kristalldefektgebiets, der oberhalb der Kathode vorsteht, als y [μm] definiert wird, ist y ≥ 0,007x2 – 1,09x + 126 erfüllt. |
