一种晶体生长的填料方法

摘要

本发明公开了一种晶体生长的填料方法，包括以下步骤：秤重、混料、压料、密闭容器的制作、烧结、填料和升温化料，直至原料和密闭容器完全熔化，开始晶体生长制成。通过上述方式，本发明所述的晶体生长的填料方法，能避免原料熔化过程中低熔点的元素和化合物的挥发，有效控制熔体组分的一定性，尤其是在晶体掺杂生长时的掺杂离子浓度控制，达到优化晶体质量的目的。

主权项

一种晶体生长的填料方法，其特征在于，包括以下步骤：秤重：按照晶体生长的化学反应方程式的莫耳数转化成重量配比，根据重量配比和生产任务所需晶体重量进行多种化学物粉料和掺杂离子化合物的称重；混料：将秤好重量的多种化合物粉料放入混料容器中混合均匀，并分成两份备用，分别为第一份组合物和第二份组合物；压料：将第一份组合物进行压实，缩小粉料的体积以利填料生长；密闭容器的制作：将第二份组合物加热导入模具制成密闭容器，所述密闭容器包括壳体和盖体，所述壳体内设置有开口的容腔，所述盖体设置在容腔的开口上；烧结：把第一份组合物放入坩埚，利用高温让混合好的化合物预先反应成晶体生长的原料；填料:将掺杂离子化合物放入壳体内的容腔中，并利用盖体作好密封，然后一起放入坩埚；升温化料: 开始按程序升温，直至原料和密闭容器完全熔化，开始晶体生长制成。