| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une couche en Si1-xGex (111b), qui est constituée d'une couche en i-S1-xGex et d'une couche en P+Si1-xGex et qui sert de base à une couche de collecteur (102) sur laquelle elle est produite. Une couche de protection en silicium (111a) destinée à un émetteur est produite sur ladite couche en P+Si1-xGex. Un contact d'émetteur (129), qui est constitué d'une couche N- en polysilicium (129b), contenant du phosphore dans la limite d'une solution solide sur du silicium monocristallin, et d'une couche N+ en polysilicium, fortement dopée au phosphore (129a), est produit sur ladite couche de protection en silicium (111a), dans une ouverture de la base (118). Ladite couche de protection en silicium (111a) est protégée d'un dopage excessif au phosphore (P), afin de maintenir une distribution de concentration de dopage convenable dans la couche de base. Cette couche de protection en silicium (111a) peut comprendre une impureté de type p dans sa partie supérieure. Une distribution convenable de la concentration de dopage de type p est ainsi maintenue dans la couche de base, dans un transistor bipolaire NPN.</p> |
