一种砷化镓单晶片清洗的方法

摘要

本发明涉及一种砷化镓单晶片清洗的方法，包括：砷化镓单晶片抛光处理后，用无水乙醇清洗，去离子水冲洗，再用极稀的碱性溶液清洗，去离子水冲洗，最后用SC1药液清洗，去离子水冲洗，经甩干、检验后封装。为使晶片表面状态较好，应注意所用溶液的配比以及所用溶液的温度。本发明通过无水乙醇和碱溶液的清洗去除晶片表面的有机物，SC1号液清洗时，双氧水可把砷化镓表面层氧化，氨水可溶解砷的氧化物以及镓的氧化物，使表面层剥离，再经去离子水快速冲洗，使表面无药液残留，从而得到洁净的表面。

主权项

一种砷化镓单晶片清洗的方法，适用于LEC、VB、VGF生长的砷化镓单晶片，其特征在于：对采用LEC法、VB法或VGF法生长的砷化镓单晶，断掉单晶的头尾，滚圆制作主次参考面，在线切割机切割成一定厚度晶片，晶片清洗干净后，在倒角机上倒晶片边缘，经磨片、化学腐蚀后，再经机械化学抛光CMP，粗抛、精抛后进入清洗；清洗的晶片先在无水乙醇中清洗20‑60秒，用去离子水冲洗30‑60秒，用体积比去离子水：碱溶液=1:30‑100的碱性溶液清洗5‑20秒，去离子水冲洗60‑120秒，再用SC1药液清洗 20‑30秒，再用去离子水冲洗60‑120秒，最后甩干，检验后封装，上述每个清洗步骤中间无间隔进行；所用碱性溶液和SC1药液的药温小于8℃且大于0℃，去离子水的温度小于10℃且大于0℃；本发明通过无水乙醇和碱溶液的清洗去除晶片表面的有机物，SC1号液清洗时，双氧水可把砷化镓表面层氧化，氨水可溶解砷的氧化物以及镓的氧化物，使表面层剥离，再经去离子水快速冲洗，使表面无药液残留，从而得到洁净的表面。