发明名称 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM CAPABLE OF DIVERSE POLISHING PROCESSES
摘要 본 발명은 화학 기계적 연마 시스템에 관한 것으로, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마 유닛과; 상기 연마 유닛에서 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 연마면이 하측을 향한 상태로 예비 세정하는 예비 세정부와; 상기 웨이퍼를 180도 회전시켜 뒤집어 연마면이 상측이 되게 회전시키는 반전기를 구비한 언로딩 유닛을; 포함하여 구성되어, 화학 기계적 연마 공정이 완료된 웨이퍼를 세정 유닛으로 이송하기에 앞서 거쳐야 하는 웨이퍼의 180도 뒤집는 공정 이전에, 웨이퍼가 메인 세정 공정을 거치기 이전에 예비적으로 세정함으로써, 웨이퍼의 처리 효율을 저해하지 않으면서, 종래에 오염된 웨이퍼를 반전기가 파지하는 과정에서 미끄러져 놓치는 문제를 해결할 수 있고, 오염된 웨이퍼를 파지하는 반전기의 오염 속도를 현저히 늦춤으로써 반전기 세정에 필요한 빈도수를 줄여 웨이퍼의 처리 공정 효율을 향상시킬 수 있는 화학 기계적 연마 시스템을 제공한다.
申请公布号 KR20160146635(A) 申请公布日期 2016.12.21
申请号 KR20160171877 申请日期 2016.12.15
申请人 주식회사 케이씨텍 发明人 안준호;손병철;조문기
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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