| 发明名称 | 制作沟槽半导体器件的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 在一种实施方式中，制作一种沟槽半导体器件，其沿着沟槽的侧壁具有第一厚度的氧化物，而且沿着该沟槽的底部的至少一部分具有更厚的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1956153A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610142386.5 | 申请日期 | 2006.10.11 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 戈登·M·格里瓦纳 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/283(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作沟槽半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面的半导体衬底；从第一表面向该半导体衬底内形成第一开口，其中第一开口具有侧壁和底部；在第一开口的侧壁和底部上形成第一二氧化硅层达到第一厚度；并且增加沿该底部的一部分第一二氧化硅层的所述第一厚度达到第二厚度，而基本上不增加位于侧壁上的第一二氧化硅层的所述第一厚度，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||