| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构,包含有一半导体基底；一有源区,位于所述半导体基底中；两条沟槽,截穿过所述有源区并将所述有源区隔成一有源极区和两个漏极区；一马鞍形的N+/N-/N+结构,位于所述有源区的所述有源极区中；以及两个N+漏极掺杂井分别位于所述两个漏极区中。 | ||
| 申请公布号 | CN105826318A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510004754.9 | 申请日期 | 2015.01.06 |
| 申请人 | 华亚科技股份有限公司 | 发明人 | 李宗翰;施能泰;胡耀文 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体结构,其特征在于,包含有:一半导体基底；一有源区,位于所述半导体基底中；两条沟槽,截穿过所述所述有源区并将所述有源区隔成一有源极区和两个漏极区；一马鞍形的N+/N‑/N+结构,位于所述有源区的所述有源极区中；以及两个N+漏极掺杂井分别位于所述两个漏极区中。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||