氮化物半导体结构

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体结构，至少包括一硅基板、一AlN层、一AlGaN层以及形成于AlGaN层上的一GaN层。所述硅基板具有一表面，其与垂直(111)晶面的轴之间具有大于0度且小于等于0.5度的倾斜角度。所述AlN层形成于硅基板的所述表面上。所述AlGaN层形成于所述AlN层上。而所述AlGaN层的Al含量在从AlN层侧往GaN层侧的厚度方向上降低。

主权项

一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：硅基板，包括表面，所述表面与垂直(111)晶面的轴之间具有大于0度且小于等于0.5度的倾斜角度；AlN层，形成于所述硅基板的所述表面上；AlGaN层，形成于所述AlN层上；GaN层，形成于所述AlGaN层上，其中所述AlGaN层的Al含量在从所述AlN层侧往所述GaN层侧的厚度方向上降低，所述GaN层的厚度在0.5μm～5μm之间，所述GaN层为多层结构，所述多层结构包括多层GaN膜；第一AlN中间层，位于所述GaN层与所述AlGaN层之间；以及第二AlN中间层，位于两两所述GaN膜之间。