| 摘要 |
본 발명은 제1 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (1)과, 제1 레지스트 패턴 상에, 현상액 및 제2 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 대하여 불용인 불용화 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (2)와, 제2 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 제2 레지스트층을 형성하고, 마스크를 통해 노광하는 공정 (3)과, 현상하여 제2 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (4)를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법의 공정 (2)에서 이용되는, 소정의 반복 단위를 포함하는 수지와, 용매를 함유하는 레지스트 패턴 불용화 수지 조성물에 관한 것이다. |
