| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Bestimmen der Schichtdicken einer Probe mit einer bekannten Mehrzahl von N übereinander angeordneten Schichten Si, mit i = 1, 2, 3, ..., N, wobei ein einfaches, vorzugsweise schnelles, und genaues Verfahren zum Bestimmen der Schichtdicken einer Probe mit einer bekannten Mehrzahl von N übereinander angeordneten Schichten bereitgestellt werden soll. Der Erfindung liegt die Annahme zu Grunde, dass die Wechselwirkungsstrecke für die durch die Probe dringende elektromagnetische Hochfrequenzstrahlung so kurz ist, dass die Frequenzabhängigkeit der Brechungsindizes und die Frequenzabhängigkeit der Absorptionsindizes vernachlässigbar sind. Sowohl der Brechungsindex als auch der Absorptionsindex können durch einen über die Frequenzbandbreite der verwendeten Hochfrequenzstrahlung konstanten Wert für jede Schicht angenähert werden. |
