| 发明名称 | 磁阻存储器装置中避免不希望编程的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及到在MRAM-装置中避免不希望的编程的方法，在其中通过补偿电流产生与漏磁磁场作用相反的补偿磁场。 | ||
| 申请公布号 | CN1194353C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN01137795.X | 申请日期 | 2001.10.31 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·弗赖塔格;S·拉默斯;D·戈格尔;T·雷尔 |
| 分类号 | G11C11/15;G11C5/00 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郑立柱;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种在磁阻存储器装置中避免不希望编程的方法，在其中存储单元(1；11，12，...)位于存储单元区的字线(WL)和位线(BL)之间交叉点的至少一个平面上，其中将编程电流(IWL；IBL2)输入属于有选择性的存储单元(12)的字线(WL1)和位线(BL2)中，所述编程电流在与有选择性的存储单元(12)相邻的至少一个存储单元(13；15)中产生一个在该处起漏磁磁场作用的磁场，其特征在于，将补偿电流引导通过所述相邻的至少一个存储单元(13；15)的字线或者位线(BL3；BL5)或者专门的导线(L)，补偿电流提供与漏磁磁场作用相反的补偿磁场。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||