| 发明名称 | 改进的微流体喷射组件 | ||
| 摘要 | 一种包括硅基质的微流体喷射组件，所述硅基质中具有精确形成的流体通路。所述流体通路通过在基质上进行的深度反应性离子蚀刻处理而形成，该基质在蚀刻之前具有选自如下的表面特征：介电层厚度不超过约5000埃，和基本无介电材料的带凹坑表面，其中表面凹入的均方根深度小于约500埃，且最大表面凹入深度不超过约2500埃。在该基质中的流体通路具有改进的流动特征，以用于更可靠的流体喷射操作。 | ||
| 申请公布号 | CN1957111A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200580016140.7 | 申请日期 | 2005.04.14 |
| 申请人 | 莱克斯马克国际公司 | 发明人 | J·W·克拉夫奇克;A·N·麦克尼斯;J·M·姆尔沃斯;C·E·沙利文 |
| 分类号 | C23F1/00(2006.01) | 主分类号 | C23F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.一种包括硅基质的微流体喷射组件，所述硅基质中有精确形成的流体通路，该流体通路通过在基质上进行的深度反应性离子蚀刻处理而形成，所述基质在蚀刻之前具有选自如下的表面特征：介电层厚度不超过约5000埃，和基本无介电材料的带凹坑表面，其中表面凹入的均方根深度小于约500埃，且最大表面凹入深度不超过约2500埃。 | ||
| 地址 | 美国肯塔基州 | ||