| 发明名称 | 压阻式微波功率传感器 | ||
| 摘要 | 压阻式微波功率传感器是利用终端电阻吸收微波功率发热产生薄膜应力，以压敏电阻的方式测得输入微波功率的结构，该传感器以Si衬底(1)为衬底，Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>/SiO<SUB>2</SUB>层(9)设在Si衬底的底部，在Si衬底上设有SiO<SUB>2</SUB>绝缘层(2)，SiO<SUB>2</SUB>绝缘层(2)与腐蚀Si衬底上的硅膜(11)构成双层膜(8)结构，在双层膜(8)结构上设有共面波导(3)，在共面波导的终端设有匹配电阻(4)，在双层膜结构的边缘设有四个沿<110>方向的压敏电阻(6)，压敏电阻通过接触金属(10)由金属导线(5)构成惠斯登电桥，惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块(7)相接。该结构由放置在双层膜的边缘的压敏电阻测量膜的应力变化，得到输入微波功率的大小。 | ||
| 申请公布号 | CN200962131Y | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200620073646.3 | 申请日期 | 2006.06.09 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 黄庆安;韩磊;廖小平 |
| 分类号 | G01R29/08(2006.01);G01R31/00(2006.01) | 主分类号 | G01R29/08(2006.01) |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 叶连生 |
| 主权项 | 1.一种压阻式微波功率传感器，其特征在于该传感器以Si衬底(1)为衬底，Si3N4/SiO2层(9)设在Si衬底(1)的底部，在Si衬底(1)上设有SiO2绝缘层(2)，SiO2绝缘层(2)与腐蚀Si衬底(1)上的硅膜(11)构成双层膜(8)结构，在双层膜(8)结构上设有共面波导(3)，在共面波导(3)的终端设有匹配电阻(4)，在双层膜(8)结构的边缘设有四个沿<110>方向的压敏电阻(6)，压敏电阻(6)通过接触金属(10)由金属导线(5)构成惠斯登电桥，惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块(7)相接。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||