| 发明名称 | 高分子半导体 | ||
| 摘要 | 一种式(I)的高分子半导体，其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN；Ar独立地为共轭的二价部分；a为1至约10的整数；并且n为2至约5,000的整数。所得高分子半导体适于在有机薄膜晶体管中使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101654510A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200910166513.9 | 申请日期 | 2009.08.17 |
| 申请人 | 施乐公司 | 发明人 | Y·李 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟守期;吴晓萍 |
| 主权项 | 1.一种式(I)的高分子半导体：<img file="A2009101665130002C1.GIF" wi="805" he="297" />式(I)其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN；Ar独立地为共轭的二价部分；a为1至约10的整数；并且n为2至约5,000的整数。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||