| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置。根据1个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。 | ||
| 申请公布号 | CN105789305A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201510463261.1 | 申请日期 | 2015.07.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西堀一弥;中川贵博 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 杨谦;房永峰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，该半导体装置是切换高频信号的半导体装置，上述半导体装置具备：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1层，设置于上述半导体层；第2导电型的第2层，设置于上述半导体层；栅极绝缘膜，设置于上述第1层之上、上述第2层之上以及上述半导体层之上；以及栅极电极，设置于上述栅极绝缘膜之上，上述栅极绝缘膜包括第1栅极绝缘膜和第2栅极绝缘膜，上述第1栅极绝缘膜在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸，上述第2栅极绝缘膜设置在上述第1栅极绝缘膜的两侧，且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层及上述第2层之间，上述第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||