MEMS-Bauelement mit hoher Integrationsdichte

摘要

Es wird ein MEMS-Bauelement mit erhöhter Integrationsdichte und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben. Das Bauelement umfasst einen Basiswafer und einen darüber angeordneten Deckelwafer. Zwischen dem Basiswafer und dem Deckelwafer ist ein erster Hohlraum angeordnet. Über dem Deckelwafer ist ein zweiter Hohlraum unter einer Dünnschicht-Abdeckung angeordnet. Die Hohlräume enthalten Bauelementstrukturen.