发明名称 一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置
摘要 本申请提供了一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置,其中所述的方法,包括:选取两个存储块,将两个存储块中同一字线上的存储单元并联,生成存储位;将1比特数据存储在一个存储位中。本申请能够用以提高NAND Flash的读速度,为NAND Flash取代NOR Flash,降低flash内存的单位成本,并且能够实现单芯片更大的存储容量创造条件。
申请公布号 CN103456354B 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201210170468.6 申请日期 2012.05.28
申请人 北京兆易创新科技股份有限公司 发明人 苏志强;张现聚;刘奎伟;丁冲
分类号 G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人 赵娟
主权项 一种非易失性存储器差分存储单元处理数据的方法,其特征在于,所述非易失性存储器包括若干存储块;所述存储块包括若干存储单元、一个源极选通管和一个漏极选通管,所述一个存储单元对应一个字线;所述的方法,包括:选取两个存储块,将两个存储块中同一字线上的存储单元并联,生成存储位;将1比特数据存储在一个存储位中。
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