| 发明名称 | CMOS图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法包括：制备其中限定有光电二极管区域和晶体管区域的半导体衬底；在该半导体衬底的整个表面上顺序地形成绝缘层和导电层；在该导电层上形成光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案作为掩模，将该导电层蚀刻至预定的厚度；在蚀刻后的导电层上执行离子注入工艺以形成掺杂导电层；在包括该掺杂导电层的所得结构上执行氧化工艺，用以氧化该掺杂导电层以形成氧化层；以及去除氧化层和设置于其下方的绝缘层，以限定栅电极和栅绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN100470761C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200610170184.1 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 沈喜成 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1. 一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，该方法包括：制备其中限定有光电二极管区域和晶体管区域的半导体衬底；在该半导体衬底的整个表面上顺序地形成绝缘层和导电层；在该导电层上形成光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案作为掩模，将该导电层蚀刻至预定的厚度；在蚀刻后的导电层上执行离子注入工艺以形成掺杂导电层；在包括该掺杂导电层的所得结构上执行氧化工艺，用以氧化该掺杂导电层以形成氧化层；以及利用湿法蚀刻工艺去除该氧化层和设置于其下方的绝缘层，以限定栅电极和栅绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||