| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够提高装置整体的耐压的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板；形成于所述半导体基板表层部的pMOS；形成于所述半导体基板的表层部并在电源与地线之间与所述pMOS串联连接的nMOS；和基板电位控制电路，用于控制所述半导体基板的背面的电位为比地线电位高且比所述电源的电位低的中间电位。 | ||
| 申请公布号 | CN101657895A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200880011773.2 | 申请日期 | 2008.04.11 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 熊野畅;中川英二 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘 建 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包含：半导体基板；p通道MOS晶体管，形成于所述半导体基板的表层部；n通道MOS晶体管，形成于所述半导体基板的表层部，并在电源与地线之间与所述p通道MOS晶体管串联连接；和基板电位控制电路，用于控制所述半导体基板的背面的电位为比地线电位高且比所述电源的电位低的中间电位。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||