UNDERFILL MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

摘要

본 발명은 보이드리스 실장 및 양호한 땜납 접합성을 실현하는 언더필재 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 에폭시 수지 및 경화제를 함유하고, 시차 주사 열량계를 사용한 오자와법에 의해 산출된 240℃에서의 반응률의 20％에 도달하는 시간이 2.0sec 이하이고, 상기 반응률의 60％에 도달하는 시간이 3.0sec 이상인 언더필재를 사용한다. 이에 의해, 보이드리스 실장 및 양호한 땜납 접합성을 실현할 수 있다.