稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及制备方法，它包括栅极、支撑层、源漏电极、微纳单晶半导体和气体间隙绝缘层。栅极为衬底，栅极上部设置有支撑层，支撑层上部两侧各设置有一个源漏电极，在两源漏电极之间设置有微纳单晶半导体；位于两源漏电极之间的微纳单晶半导体下方，在支撑层上纵向间隔设置有若干沟道，相邻沟道之间形成沟槽；由栅极上部、微纳单晶半导体下部和支撑层中间的沟槽构成若干个气体间隙绝缘层。本发明场效应晶体管结构更加稳定，避免了纳米线在感应电场的作用下塌陷，并无法正常工作的问题。

主权项

一种稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管，其特征在于：它包括栅极、支撑层、源漏电极、微纳单晶半导体和气体间隙绝缘层；所述栅极为衬底，所述栅极上部设置有所述支撑层，所述支撑层上部两侧各设置有一个所述源漏电极，在两所述源漏电极之间设置有所述微纳单晶半导体；位于两所述源漏电极之间的所述微纳单晶半导体下方，在所述支撑层上纵向间隔设置有若干沟道，相邻沟道之间形成沟槽；由所述栅极上部、所述微纳单晶半导体下部和所述支撑层中间的沟槽构成若干个所述气体间隙绝缘层。