发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 표시 장치의 고정세화에 수반하여 화소수가 증가되고 게이트선의 개수 및 신호선의 개수가 증가된다. 게이트선의 개수 및 신호선의 개수가 증가되면, 이들을 구동하기 위한 구동 회로를 갖는 IC칩을 본딩 등에 의하여 실장하기 어렵게 되고, 제조 비용이 증대하는 문제가 있다. 동일 기판 위에 화소부와, 화소부를 구동하는 구동 회로를 갖고, 구동 회로의 적어도 일부의 회로는 상하를 게이트 전극으로 끼운 산화물 반도체를 사용한 박막 트랜지스터로 구성된다. 동일 기판 위에 화소부 및 구동 회로가 형성됨으로써 제조 비용이 저감된다.
申请公布号 KR101639180(B1) 申请公布日期 2016.07.14
申请号 KR20140046466 申请日期 2014.04.18
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 미야이리 히데카주;오사다 타케시;아키모토 켄고;야마자키 순페이
分类号 H01L21/31;H01L29/786 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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