发明名称 一种单片型双极膜及其制备方法
摘要 一种单片型双极膜及其制备方法,涉及功能高分子膜材料。所述单片型双极膜包括阳离子交换层和阴离子交换层。制备方法一:基底膜预辐照;双面同时接枝;磺化;季铵化。制备方法二:基底膜预辐照;双面分步接枝;磺化;季铵化。通过辐射接枝技术制备双极膜,不仅省去了传统双极膜制备过程中的成膜工序,而且接枝过程无需添加引发剂和催化剂等,所制得的双极膜非常均匀和纯净。步骤简单,膜的热稳定性和化学稳定性更好。即使长期使用,也不会出现中间界面层鼓泡、开裂等复合型双极膜在使用过程中容易出现的问题。机械性能、热稳定性和化学稳定性好。避免氯甲醚等强致癌性试剂的使用,降低对人体及环境的危害。
申请公布号 CN105833737A 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201610223380.4 申请日期 2016.04.12
申请人 厦门大学 发明人 方军;官英杰;赵金保
分类号 B01D69/02(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01D61/44(2006.01)I;B01D71/78(2006.01)I;C08J5/22(2006.01)I;B01J43/00(2006.01)I 主分类号 B01D69/02(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人 马应森
主权项 一种单片型双极膜,其特征在于包括阳离子交换层和阴离子交换层;所述阳离子交换层的化学结构如下:<img file="FDA0000962906000000011.GIF" wi="741" he="807" />其中,M为基底膜的高分子链,n为聚合度,n是不为零的整数;R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>为氢原子或碳原子数小于4的烷基;R<sub>3</sub>为碳原子数小于3的烃基;X<sup>+</sup>为阳离子,X<sup>+</sup>可为H<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>中的任一种;所述阴离子交换层的化学结构如下:<img file="FDA0000962906000000012.GIF" wi="645" he="871" />其中,M为基底膜的高分子链(阴离子交换层的基底膜与阳离子交换层的基底膜相同);m为聚合度,m是不为零的整数;R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>为氢原子或碳原子数小于4的烷基;R<sub>6</sub>为碳原子数小于7的烃基;X<sup>‑</sup>为阴离子,X<sup>‑</sup>可为Cl<sup>‑</sup>、Br<sup>‑</sup>、I<sup>‑</sup>、OH<sup>‑</sup>、SO<sub>3</sub>H<sup>‑</sup>中的任一种。
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