| 摘要 |
Bereitgestellt wird eine Halbleitervorrichtung mit einer Verdrahtungsstruktur auf einem Halbleiterelement, die in der Lage ist, eine hohe Qualität und eine hohe Zuverlässigkeit als Antwort auf den Wunsch nach Einsätzen bei hoher Temperatur, einer Anforderung nach Starkstrom, dünneren Halbleiterscheiben, kleineren Vorrichtungsgrößen und reduzierten Ausfällen sicherzustellen. Eine Halbleitervorrichtung, die eine isolierende Platine (13); ein Halbleiterelement (17), das auf der isolierenden Platine angebracht ist; eine erste isolierende Harzschicht (21), die auf die isolierende Platine laminiert ist; eine kupferüberzogene Verdrahtung (11), die das Halbleiterelement über einen Fensterabschnitt kontaktiert, der in der ersten isolierenden Harzschicht ausgebildet ist, der einen Kontakt mit dem Halbleiterelement erlaubt; und eine zweite isolierende Harzschicht (22), die laminiert ist, um die kupferüberzogene Verdrahtung abzudichten, enthält, sowie ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung werden bereitgestellt. |
