发明名称 电流变液高电场强度介电常数测量电路
摘要 一种测量系统领域的电流变液高电场强度介电常数测量电路,包括:信号输入端子、反相器、发光二极管、电阻、四个开关二极管、两个自举电容、高压隔离驱动芯片IR2130、四个高压开关MOSFET管IRFPC50、被测电容、缓冲电容、积分电容、反馈电阻、运算放大器、测量结果电压量输出端子,采用500V高压对被测电容充电,采用耐600V高压并具有悬浮自举电源的高压隔离驱动芯片IR2130和耐600V高压的MOSFET开关管,以及在其中四只耐700V高压的超快恢复开关二极管,确保测量电路在500V充电电压下可靠地工作。本发明从根本上消除了寄生电容对测量精度的影响,可以测量在高电场强度条件下的电流变液的介电常数。
申请公布号 CN1327233C 申请公布日期 2007.07.18
申请号 CN200510028460.6 申请日期 2005.08.04
申请人 上海交通大学 发明人 陈乐生;裘揆;陈大跃
分类号 G01R27/26(2006.01) 主分类号 G01R27/26(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 1、一种电流变液高电场强度介电常数测量电路,包括:信号输入端子(1)、反相器(2)、发光二极管(3)、电阻(4)、自举电容(7、8)、被测电容(16)、缓冲电容(17)、积分电容(18)、反馈电阻(19)、运算放大器(20)、测量结果电压量输出端子(21),其特征在于,还包括:开关二极管(5、6)、高压隔离驱动芯片(9)、高压开关MOSFET管(10、11、12、15)、开关二极管(13、14),信号输入端子(1)分成两路,一路直接输入到高压隔离驱动芯片(9)上的HIN2引脚和LIN2引脚,另一路信号接到反相器(2)的输入端,反相器(2)的输出端接到高压隔离驱动芯片(9)上的HIN1引脚和LIN1引脚;电路的供电电源有两路,一路为+15V,另一路为+500V,两路电源共地,+15V电源和地线分别接到反相器(2)、高压隔离驱动芯片(9)和运算放大器(20)的电源输入引脚和地线引脚,发光二极管(3)、开关二极管(5、6)的正极均连接到+15V电源,发光二极管(3)的负极连接电阻(4),电阻(4)再接到高压隔离驱动芯片(9)的FAULT引脚,开关二极管(5、6)的负极分别连接到高压隔离驱动芯片(9)的VB1引脚和VB2引脚,自举电容(7)的一个引脚连接到高压隔离驱动芯片(9)的VB1引脚,另一个引脚连接到高压隔离驱动芯片(9)的VS1引脚;自举电容(8)的一个引脚连接到高压隔离驱动芯片(9)的VB2引脚,另一个引脚连接到高压隔离驱动芯片(9)的VS2引脚,高压隔离驱动芯片(9)引脚HO1连接到高压开关MOSFET管(10)的门极,引脚VS1连接到高压开关MOSFET管(10)的源极,引脚LO1连接到高压开关MOSFET管(15)的门极,引脚VSO和VSS连接到地线,引脚HO2连接到高压开关MOSFET管(12)的门极,引脚VS2连接到高压开关MOSFET管(12)的源极,引脚LO2连接到高压开关MOSFET管(11)的门极,高压开关MOSFET管(10)的漏极连接到+500V电源,源极连接到高压开关MOSFET管(11)的漏极,高压开关MOSFET管(11)的源极连接到地线,开关二极管(13)的正极连接到运算放大器(20)的反相输入端,负极连接到高压开关MOSFET管(12)的漏极,高压开关MOSFET管(12)的源极连接到开关二极管(14)的正极,开关二极管(14)的负极连接到高压开关MOSFET管(15)的漏极,高压开关MOSFET管(15)的源极连接到地线,被测电容(16)的一个极板连接到高压开关MOSFET管(10)的源极,另一个极板连接到高压开关MOSFET管(12)的源极,缓冲电容(17)的一只引脚连接到运算放大器(20)的反相输入端,缓冲电容(17)的另一只引脚连接到地线,运算放大器(20)的正相输入端连接到地线,积分电容(18)的一只引脚连接到运算放大器(20)的反相输入端,另一只引脚连接到运算放大器(20)的输出端,反馈电阻(19)一只引脚连接到运算放大器(20)的反相输入端,另一只引脚连接到运算放大器(20)的输出端,运算放大器(20)的输出端连接到测量结果电压量输出端子(21)。
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