一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法，光学微腔包括：衬底，与衬底牢固结合的光学微腔，嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成，其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致。其制备方法是将量子点的生长过程与光学微腔的制备过程分离开来，使其不再直接关联，从而使得两个制备过程之间不再相互制约，极大地拓宽了两个独立制备过程各自的选择范围，可以设计制备出性能更优良的光学微腔和量子点，而且大大简化了整个制备工艺过程，最终使得制备高性能的单量子点嵌埋光学微腔成为现实。

主权项

1.一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔的制备方法，其特征在于具体步骤如下：A.首先采用常规的光学薄膜镀制方法依次将膜系(LH)m，nL/2镀制到衬底上，然后中止镀膜；B.采用匀胶、喷涂、刷涂或浸蘸中的一种将浓度低于10-9mol/L的量子点溶液涂敷到步骤A的nL/2膜层上，待溶剂挥发后；再继续依次将膜系nL/2，(HL)m镀完，完成整个光学微腔膜系的镀制，其中(LH)m为微腔的下反射膜系(201)，nL为谐振腔层(202)，(HL)m为微腔的上反射膜系(203)，L为低折射率膜层，H为高折射率膜层，m为L与H的交替叠层次数，m≥6，n为2的整数倍，n≥2，L和H膜层的厚度为1/4λ0，λ0为荧光峰位；最后采用常规的光刻掩模方法刻蚀掉量子点周围多余的薄膜材料，形成单量子点嵌埋的光学微腔结构。