| 发明名称 | 一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，特别涉及一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法。本发明的制备流程包括(1)在衬底上进行预置图形；(2)通过膜沉积的方法在预置图形的衬底上沉积一层钼源膜；(3)使用酮类溶剂去除光刻胶；(4)使用化学气相沉积(CVD)法制备预置图形的二硫化钼膜。通过本发明方法获得了具有预置图形的均匀一致的二硫化钼纳米膜，同时减少了后期对二硫化钼膜进行形状加工导致膜受损污染的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN105742191A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201410757571.X | 申请日期 | 2014.12.10 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 史志天;魏峰;赵鸿滨;张艳 |
| 分类号 | H01L21/365(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/365(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 黄家俊 |
| 主权项 | 一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上进行预置图形；(2)通过膜沉积的方法在预置图形的衬底上沉积一层钼源膜；(3)使用酮类溶剂去除光刻胶；(4)使用化学气相沉积法制备预置图形的二硫化钼膜。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||