半导体装置及其制造方法

摘要

包括氧化物半导体的半导体装置的电特性因被可见光或紫外光辐照而改变。鉴于上述问题，一个目标在于提供包括氧化物半导体薄膜的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在氧化物绝缘层上形成厚度大于或等于1nm且小于或等于10nm的第一氧化物半导体层且通过热处理使其结晶，以形成第一结晶氧化物半导体层。在其上形成厚度比所述第一结晶氧化物半导体层大的第二结晶氧化物半导体层。

主权项

制造半导体装置的方法，其包括以下步骤：在氧化物绝缘层上形成第一结晶氧化物半导体层；在所述第一结晶氧化物半导体层上形成厚度大于所述第一结晶氧化物半导体层且与所述第一结晶氧化物半导体层接触的第二结晶氧化物半导体层；在所述第二结晶氧化物半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成栅绝缘层；和在所述栅绝缘层上形成栅极。