| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것으로, 다수의 페이지들을 포함하는 메모리 셀 어레이와, 메모리 셀 어레이에 대한 프로그램 동작 및 리드 동작을 수행하기 위한 주변 회로부 및 상기 프로그램 동작의 프로그램 검증 동작 및 상기 리드 동작시 선택된 워드라인과 인접한 제1 및 제2 워드라인에 서로 다른 제1 및 제2 패스 전압을 각각 인가하도록 상기 주변 회로부를 제어하는 제어 로직을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160136675(A) |
申请公布日期 |
2016.11.30 |
| 申请号 |
KR20150070546 |
申请日期 |
2015.05.20 |
| 申请人 |
SK HYNIX INC. |
发明人 |
LEE, WON HEE;LEE, HO SEOK |
| 分类号 |
G11C16/26;G11C16/08;G11C16/30 |
主分类号 |
G11C16/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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