氮化铝接合体及其制造方法

摘要

本发明的氮化铝接合体由不使用粘合剂而相互接合的2片氮化铝烧结体板和形成在其接合界面的一部分上的金属层所构成，其特征在于，从穿过上述接合体的中心的侧剖面观察，在上述接合界面的上述烧结体板相互之间直接相对的直接接合区域中，存在沿接合界面的长度平均为0.5～4μm的多个空穴，且该空穴形成非接合部分，上述侧剖面的通过下式(1)所计算出的非接合率Q平均在0.1～0.5％的范围内：非接合率Q＝(X/Y)×100％，式中，X为以存在于直接接合区域的上述空穴的长度L的合计值表示的上述非接合部分的接合界面方向的长度；Y为存在上述空穴的直接接合区域的长度。该AlN接合体有效地抑制了内部金属层的翘曲，接合强度较高，且具有优良的耐久性，可以适用于半导体制造装置上、用于载置和处理半导体晶片的静电吸盘或板状加热装置。

主权项

1.一种由不使用粘合剂而相互接合的2片氮化铝烧结体板和形成在其接合界面的一部分上的金属层所构成的氮化铝接合体，其特征在于：从穿过所述接合体中心的侧剖面观察，在所述接合界面的所述烧结体板相互之间直接相对置的直接接合区域中，存在沿接合界面的长度L平均为0.5～4μm的多个空穴，且该空穴形成非接合部分，所述侧剖面的通过下式(1)所计算出的非接合率Q平均在0.1～0.5％的范围内，非接合率Q＝(X/Y)×100％(1)式中，X为以存在于直接接合区域的所述空穴的长度L的合计值表示的所述非接合部分的接合界面方向的长度；Y为存在所述空穴的直接接合区域的长度。