| 发明名称 | 表面疏水化膜、表面疏水化膜形成材料、布线层、半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明，能够得到漏电量少、且EM(电迁移)耐性和TDDB(经时介电击穿)耐性高的布线层，由此能够提供耗电量小、可靠性高的半导体装置的制造技术。本发明的表面疏水化膜是与绝缘膜接触的表面疏水化膜，其在接触时具有比绝缘膜更高的疏水性，并且其相反侧表面还与布线接触并包含选自由硫原子、磷原子和氮原子组成的组中的至少一种原子。 | ||
| 申请公布号 | CN101647106A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200780052178.9 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今田忠纮;中田义弘 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I;C09K3/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 菅兴成;吴小瑛 |
| 主权项 | 1.一种表面疏水化膜形成材料，该表面疏水化膜与绝缘膜接触，且具有比该接触时的该绝缘膜更高的疏水性，其中，该表面疏水化膜的与绝缘膜接触的表面的相反侧表面还与布线接触，并且含有由硫原子、磷原子和氮原子组成的组中选出的至少一种原子。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||