静电放电保护电路元件

摘要

一种静电放电保护电路元件，其包括N型横向扩散金属氧化物半导体(LDNMOS)元件，该LDNMOS元件包括P型基底以及N型深井区。P型基底包括第一区域与第二区域。N型深井区位于P型基底的第一区域与第二区域之内。该LDNMOS元件还包括位于第一区域区与第二区域之间的P型基底上的栅极；位于第一区域内的P型注入区；位于第一区域的N型深井区中的N型阶区；位于N型阶区中的N型第一掺杂区；位于第二区域内的P型基体区；位于P型基体区中的N型第二掺杂区；以及位于P型基体区中与N型第二掺杂区相邻的P型掺杂区。

主权项

1.一种静电放电保护电路元件，其包括至少一个横向扩散金属氧化物半导体元件，该横向扩散金属氧化物半导体元件包括：具有第一导电型的基底，该基底包括第一区域与第二区域；具有第二导电型的深井区，位于该基底的该第一区域与该第二区域之内；栅极，位于该第一区域与该第二区域之间的该基底上；具有第一导电型的注入区，位于该基底的该第一区域内；具有第二导电型的阶区，位于该第一区域的该深井区中；具有该第二导电型的第一掺杂区，位于该阶区中；具有该第一导电型的基体区，位于该第二区域的该深井区中；具有该第二导电型的第二掺杂区，位于该基体区中；以及具有该第一导电型的掺杂区，位于该基体区中，与该第二掺杂区相邻。