发明名称 集成电路缺陷检测和修复
摘要 按照本描述,装置包含内部缺陷检测和修复电路,其包含内置在装置内的自测试逻辑电路和也内置在装置内的自修复逻辑电路。在一个实施例中,内置自测试逻辑电路可配置成自动标识存储器中的有缺陷的存储单元。在标识一个或多个有缺陷的存储单元时,内置自修复逻辑电路可配置成通过用存储器内的备用单元替换有缺陷单元来自动修复有缺陷的存储单元。在一个实施例中,作为存储器地址和周期地址偏移的函数生成数据模式。本文描述了其它方面。
申请公布号 CN105745623A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201480064686.9 申请日期 2014.12.22
申请人 英特尔公司 发明人 B.奎尔巴赫;T.Z.谢恩博恩;D.J.齐默曼;D.G.艾利斯;C.W.汉普森;I.万;Y.张;R.马勒拉;W.K.吕
分类号 G06F11/07(2006.01)I;G06F11/263(2006.01)I 主分类号 G06F11/07(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 徐予红;付曼
主权项 一种供具有包含备用存储单元的存储单元的存储器使用的存储器控制器,包括:内置在所述存储器控制器内的内部自测试逻辑电路,所述自测试逻辑电路包含:测试模式生成器,用于生成测试模式并用于使用生成的测试模式来测试所述存储器内的存储单元;储存库;以及检测器电路,适合于响应于测试所述存储单元的所述测试模式而检测有缺陷的存储单元,并在所述存储器控制器内的储存库中存储存储器位置列表,所述列表的每个存储器位置都具有包含至少一个有缺陷的存储单元的存储单元集合;以及内置在所述存储器控制器内的内部自修复逻辑电路,所述内部自修复逻辑包含修复逻辑电路,所述修复逻辑电路适合于读取存储在所述储存库中的存储器位置列表,并且通过用备用存储单元的存储器位置替代具有至少一个有缺陷的存储单元的存储器位置来修复所述列表的所述存储器位置。
地址 美国加利福尼亚州