| 发明名称 |
供观察晶圆离子布植缺陷之方法 |
| 摘要 |
一种供观察晶圆离子布植缺陷之方法，其步骤包括：(a)首先将一片晶圆折断成多个晶圆片段；(b)接着由这些晶圆片段中，挑出有缺陷的晶圆片段，并将缺陷晶圆片段之表面设置绝缘体(insulator)；以及(c)最后使用电子显微镜观察缺陷晶圆片段之离子布植是否成功；藉此，可以大幅降低分析的时间以及接近100%重现性。 |
| 申请公布号 |
TWI368963 |
申请公布日期 |
2012.07.21 |
| 申请号 |
TW097127302 |
申请日期 |
2008.07.18 |
| 申请人 |
华亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡复兴三路667号 |
发明人 |
谢奕伟;罗杰米;陈佩仪 |
| 分类号 |
H01L21/66;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
桃园县龟山乡复兴三路667号 |
