发明名称 | 发光二极管装置及其形成方法 | ||
摘要 | 一种发光二极管装置及其形成方法。该发光二极管装置具有一下发光二极管层、一上发光二极管层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间。一电流阻挡层形成于该上发光二极管层内,以至于使电流通过一接触该上发光二极管层的电极流入该上层时,电流沿着该电流阻挡层四周流动。当该电流阻挡层配置于该电极及该发光层之间,该发光层所发出的光不会被该电极所阻碍,且该发光二极管装置具有增加的发光效率。该电流阻挡层可通过转换部分的上发光二极管层成为一具有电阻阻抗的区域来形成。在一实施例中,将离子(可例如为镁、碳、或硅离子)注入进入该上发光二极管层,以形成该电流阻挡层。本发明既提高发光二极管的发光效率,还提高了产品良率。 | ||
申请公布号 | CN101656287A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
申请号 | CN200910166790.X | 申请日期 | 2009.08.18 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈鼎元;余振华;邱文智 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姜 燕;陈 晨 |
主权项 | 1.一种发光二极管装置,包含:一基板;一发光二极管结构形成于该基板之上,该发光二极管结构包含一上层、一下层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间;以及一电流阻挡层形成于该上层之内,其中该电流阻挡层包含一具有被注入杂质的电阻材料区域。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |