| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供在高温动作中也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：基板(1)，具有主面；Cu电极(8)，选择性地形成于基板(1)的主面一侧；氧化防止膜(14)，形成于Cu电极(8)的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜(10)，形成于基板(1)的主面上，遮覆Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部；以及扩散防止膜(11)，在有机树脂膜(10)与基板(1)的主面之间，与两者相接而形成，并在有机树脂膜(10)与Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部之间，与两者相接而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN105934813A | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201580005967.1 | 申请日期 | 2015.02.16 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 吉田基;远藤加寿代;藤田淳;冈部博明;须贺原和之 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李今子 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：半导体基板，具有主面；Cu电极，选择性地形成于所述半导体基板的所述主面一侧；氧化防止膜，形成于所述Cu电极的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜，形成于所述半导体基板的所述主面上，遮覆所述Cu电极的侧面以及所述上表面的所述端部；以及无机膜，在所述有机树脂膜与所述半导体基板的所述主面之间，与两者相接而形成，并在所述有机树脂膜与所述Cu电极的所述侧面及所述上表面的所述端部之间，与两者相接而形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||