发明名称 |
用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂,该腐蚀剂的成份配比为:H<SUB>2</SUB>O∶HCl∶HNO<SUB>3</SUB>∶HF∶K<SUB>2</SUB>Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>∶CrO<SUB>3</SUB>=80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g。所说的II-VI族半导体材料为Zn<SUB>y</SUB>Cd<SUB>1-y</SUB>Te体材料和以其为衬底外延生长的Hg<SUB>1-x</SUB>Cd<SUB>x</SUB>Te薄膜材料。腐蚀方法包括:被腐蚀样品的预处理,位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg<SUB>1-x</SUB>Cd<SUB>x</SUB>Te薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势,体现在:腐蚀坑型较大、规则、背景清晰;又可以显示衬底材料Cd<SUB>1-y</SUB>Zn<SUB>y</SUB>Te的位错腐蚀坑,这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。 |
申请公布号 |
CN101220477A |
申请公布日期 |
2008.07.16 |
申请号 |
CN200810033251.4 |
申请日期 |
2008.01.30 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
赵守仁;陆修来;魏彦锋;陈新强;杨建荣;丁瑞军;何力 |
分类号 |
C23F11/04(2006.01) |
主分类号 |
C23F11/04(2006.01) |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
1.一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂,其特征在于:腐蚀剂的配比为:H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3=80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g;所说的II-VI族半导体材料为ZnyCd1-yTe衬底外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料和ZnyCd1-yTe衬底体材料。 |
地址 |
200083上海市玉田路500号 |