| 发明名称 | 半导体存储装置的检查方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置的检查方法，对于具有使用了铁电电容器的非易失存储器的半导体存储装置的铁电电容器，在以第一极化状态放置了之后，包括：(a)写入与上述第一极化状态相反的第二极化状态的工序；(b)对上述第二极化状态进行放置的工序；(c)读取上述第二极化状态的工序，上述工序(a)的温度或电压比工序(c)的温度或电压低。提供一种能够在短时间内对印迹特性进行评价的半导体存储装置的检查方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100592426C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200480043138.4 | 申请日期 | 2004.06.08 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 彦坂幸信;高松知广;小畑义则 |
| 分类号 | G11C29/00(2006.01)I;G11C11/22(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置的检查方法，其特征在于，对于具有使用了铁电电容器的非易失存储器的半导体存储装置的铁电电容器，包括：(a)以第一写入电压来写入第一极化状态的工序，(b)对上述第一极化状态进行热放置的工序，(c)以第一读取电压来读取上述第一极化状态的工序，(d)在上述工序(c)之后，在第一温度下，写入与上述第一极化状态相反的第二极化状态的工序，(e)对上述第二极化状态进行放置的工序，(f)在比上述第一温度高的第二温度下，以第二读取电压来读取上述第二极化状态的工序；在上述工序(a)、(b)、(c)中检查保持性能，在接着的上述工序(d)、(e)、(f)中检查印迹性能。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||