形成用于半导体器件的图案的方法

摘要

本公开内容提供一种方法，包括提供半导体衬底并且在半导体衬底上方形成第一层和第二层。图案化第一层，以提供第一元件、第二元件、以及介于第一元件和第二元件之间的空间。然后，在第一层的第一元件和第二元件上的侧壁上形成隔离元件。随后，使用隔离元件以及第一元件和第二元件作为掩模元件蚀刻第二层。本发明还提供了形成用于半导体器件的图案的方法。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成第一层和第二层；图案化所述第一层，其中，图案化提供第一元件、第二元件、以及介于所述第一元件和所述第二元件之间的空间；在图案化所述第一层之后，在图案化的所述第一层的部分上方以及所述第一元件和所述第二元件之间的空间中形成掩模元件；使用所述掩模元件对所述第一层实施蚀刻工艺以提供具有第二宽度的第一元件和第二元件；在所述第一层的具有第二宽度的所述第一元件和所述第二元件的侧壁上形成隔离元件；以及使用所述隔离元件以及具有第二宽度的所述第一元件和所述第二元件作为掩模元件蚀刻所述第二层。