发明名称 |
一种Sn掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>光学薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种Sn掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>光学薄膜的制备方法,将分析纯的Bi(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>·5H<sub>2</sub>O加入蒸馏水中所得溶液记为A;向A溶液中加入分析纯的Na<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和柠檬酸三钠所得溶液记为B;将分析纯的SnCl<sub>2</sub>·2H<sub>2</sub>O加入蒸馏水中所得溶液记为C;向B溶液中加入C溶液,所得溶液记为D;将D溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备Sn掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>薄膜;沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得到Sn掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>光学薄膜。本发明采用电沉积法制备得到微观形貌均匀的Sn掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>光学薄膜。此方法设备简单,操作简便,无需昂贵的真空装置,可低成本高效的得到Sn掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>光学薄膜。 |
申请公布号 |
CN101643939A |
申请公布日期 |
2010.02.10 |
申请号 |
CN200910023493.X |
申请日期 |
2009.08.04 |
申请人 |
陕西科技大学 |
发明人 |
黄剑锋;王艳;曹丽云;朱辉;吴建鹏 |
分类号 |
C30B30/02(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B30/02(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 |
代理人 |
徐文权 |
主权项 |
1、一种Sn掺杂Bi2S3光学薄膜的制备方法,其特征在于:1)首先将分析纯的Bi(NO3)3·5H2O加入蒸馏水中,并将其置于超声波发生器中超声分散,配制成Bi3+浓度为0.01mol/L~0.5mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;2)然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Bi3+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶4~7∶1的摩尔比,搅拌下调节pH值为4.3~6.5,所得溶液记为B;3)将分析纯的SnCl2·2H2O加入蒸馏水中,配置成Sn2+离子浓度为1.25mmol/L的透明溶液,所得溶液记为C;4)向B溶液中加入B溶液0.2%~5%体积分数的C溶液,形成前驱物溶液,所得溶液记为D;5)将D溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备Sn掺杂Bi2S3薄膜;沉积电压为0.5~10V,沉积时间为10~30min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得到Sn掺杂Bi2S3光学薄膜。 |
地址 |
710021陕西省西安市未央区大学园陕西科技大学 |