一种闪存结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种闪存结构及其制备方法，通过采用倾斜离子注入工艺，以在位于相邻的浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底中形成F离子注入浓度不均的掺杂区，由于F离子的影响，在进行氧化工艺后，于掺杂区上形成厚度不均的隧穿氧化层，且位于所述沟道区正上方的隧穿氧化层的厚度大于交叠在所述源区和/或所述漏区正上方的隧穿氧化层的厚度，从而使得闪存结构既具有较高的编程效率，又具有较高的数据保持性能。

主权项

一种闪存结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有源区、漏区及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；栅极堆叠结构，设置于所述沟道区之上，且部分覆盖所述源区和所述漏区；其中，所述栅极堆叠结构包括覆盖所述沟道区、部分所述源区和部分所述漏区的隧穿氧化层，且位于所述沟道区正上方的所述隧穿氧化层的厚度大于交叠在所述源区和/或所述漏区正上方的所述隧穿氧化层的厚度。