| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件不采用导线或接触件来电连接多个芯片，实现了制造效率的提高并降低了其制造成本。系统封装(SIP)半导体器件包括多个第一和第二半导体芯片，每个第一和第二半导体芯片都具有预定的内部电路并彼此相对的连接，其中该第一和第二半导体芯片分别包括形成在第一和第二半导体芯片中心以具有预定深度的沟槽。第一和第二金属电极形成在各自的沟槽的内底部表面中以将电流施加于第一和第二半导体芯片各自的内部电路。在沟槽预定的容积中填充液相导电材料用于第一和第二金属电极的选择性传导。多个连接部分形成在第一和第二半导体芯片的表面中以彼此相对应而用于耦合第一和第二半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN101355079A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810135073.6 | 申请日期 | 2008.07.25 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 尹竣九 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，每个所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片都具有内部电路，所述第一和第二半导体芯片彼此相对地连接，其中每个所述第一和第二半导体芯片包括：沟槽，形成以相应于另一半导体芯片的沟槽；金属电极，形成在所述沟槽的内底部表面中；液相导电材料，填入所述沟槽中；以及连接部分，形成在芯片表面中以相应于另一半导体芯片的连接部分，所述第一和第二半导体芯片通过所述相应的连接部分彼此连接，其中所述液相导电材料填充沟槽间隔，所述沟槽间隔在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的相应的沟槽彼此连接时被限定。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||