| 发明名称 | 用于操作开关晶体管的电路结构 | ||
| 摘要 | 本电路结构包括：耦合到开关晶体管(T1)的控制输入(2)的驱动级(D)，所述驱动级(D)提供用于操作开关晶体管(T1)的开关电压(11)；和耦合到所述控制输入(2)的控制电路(T2、R3-R7、C3)，用于在延迟所述开关晶体管(T1)的转换时整形所述开关电压(11)。所述开关晶体管(T1)尤其是MOSFET，用于接通和断开容性负载(L)。 | ||
| 申请公布号 | CN100563105C | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200510059128.6 | 申请日期 | 2005.03.24 |
| 申请人 | 汤姆森特许公司 | 发明人 | 丹尼尔·洛佩斯;让-保罗·卢维尔;哈拉尔德·格雷曼 |
| 分类号 | H03K17/284(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/284(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;马 莹 |
| 主权项 | 1.一种电路结构，包括：耦合到开关晶体管(T1)的控制输入端(2)上的驱动级(D)，所述驱动级(D)提供用于操作开关晶体管(T1)的开关电压(11)，耦合到所述控制输入端(2)上的控制电路(T2、R3-R7、C3)，用于整形所述开关电压(11)，以及与所述开关晶体管(T1)串联耦合的电流感测阻抗(R3)，其中控制电路(T2、R3-R7、C3)的控制晶体管(T2)与到电流感测阻抗(R3)的控制输入端(5)耦合并且与到用于提供在延迟通过所述开关晶体管(T1)的切换意义上的负反馈的开关晶体管(T1)的控制输入端(2)的电流输入端(4)耦合，其特征在于：所述控制晶体管(T2)的控制输入端(5)借助于高通滤波器(C3、R7)耦合到驱动级(D)的输出端(10)。 | ||
| 地址 | 法国布洛涅 | ||