| 发明名称 | 压电薄膜谐振器、使用压电薄膜谐振器的滤波器和复用器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种压电薄膜谐振器、使用压电薄膜谐振器的滤波器和复用器。压电薄膜谐振器包括：衬底、形成于衬底上的下电极、形成于下电极上的压电薄膜和形成于压电薄膜上的上电极，下电极和上电极隔着压电薄膜彼此相对从而形成相对区域，相对区域包括位于所述相对区域的边界处的空间。所述空间从所述相对区域的内侧延伸到外侧，并形成于压电薄膜中或形成于压电薄膜上。 | ||
| 申请公布号 | CN101645699A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200910165386.0 | 申请日期 | 2009.08.07 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 西原时弘;原基扬;谷口真司;坂下武;横山刚;岩城匡郁;上田政则 |
| 分类号 | H03H9/17(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I;H03H9/54(2006.01)I;H03H9/60(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/17(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵 飞;南 霆 |
| 主权项 | 1.一种压电薄膜谐振器，包括：衬底；形成于所述衬底上的下电极；形成于所述下电极上的压电薄膜；和形成于所述压电薄膜上的上电极，所述下电极和所述上电极隔着所述压电薄膜彼此相对从而形成相对区域，所述相对区域包括位于所述相对区域的边界处的空间，其中，从所述相对区域的内侧延伸到外侧的所述空间形成于所述压电薄膜中或形成于所述压电薄膜上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||