发明名称 多间隙半穿透反射液晶显示器及其制造方法
摘要 本发明提供一种多间隙半穿透反射液晶显示器及其制造方法,该制造方法包括:提供一第一基板,该第一基板具有一第一像素区、一第二像素区与一第三像素区;依序形成一第一介电层与一第二介电层覆盖于该第一像素区、该第二像素区与该第三像素区上;移除位于该第二像素区与该第三像素区上的该第二介电层;移除位于该第三像素区上的该第一介电层;组立一第二基板于该第一基板上,使该第一基板与该第二基板之间,于该第一像素区、该第二像素区与该第三像素区上分别形成一第一间隙、一第二间隙与一第三间隙;以及填入一液晶层于该第一基板与该第二基板之间。
申请公布号 CN100592161C 申请公布日期 2010.02.24
申请号 CN200710148793.1 申请日期 2007.09.11
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林永伦;董修琦
分类号 G02F1/1333(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;G02F1/13363(2006.01)I 主分类号 G02F1/1333(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈 晨
主权项 1.一种半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法,该制造方法包括:提供一基板,该基板具有一反射区与一穿透区;形成一硅岛于该反射区上,该硅岛具有一沟道区及其两侧的一源极区与一漏极区;对该源极区与该漏极区进行离子掺杂;形成一栅极介电层于该基板上;形成一栅极于该沟道区正上方的栅极介电层上;形成一介电层于该栅极与该栅极介电层之上;形成一源极开口与一漏极开口于该介电层与该栅极介电层之中,以分别暴露出该源极区与该漏极区;形成一源极金属与一漏极金属分别于该源极开口与该漏极开口中及其周围的该介电层上;形成一保护层于该源极金属、该漏极金属与该介电层上;形成一第一像素开口于该保护层中,以暴露出该漏极金属;形成可感光的一有机平坦层于该基板上;以灰阶光刻法图案化该有机平坦层,形成一第二像素开口于该有机平坦层中,以暴露出该第一像素开口及其下的该漏极金属,并留下不同残余厚度的该有机平坦层于不同颜色像素的该穿透区上,以减少光色散的现象;形成一反射电极于该反射区上并通过该第一与该第二像素开口与该漏极金属电性相接;以及形成一透明电极于该穿透区上,并与该反射电极电性相接。
地址 中国台湾新竹市
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