| 摘要 |
반도체 기판 상에 제 1 절연층을 형성하고, 상기 제 1 절연층 상에 제 1 다결정 실리콘 층을 형성하고, 상기 제 1 다결정 실리콘 층 상에 제 2 절연층을 형성하고, 상기 제 2 절연층 상에 제 2 다결정 실리콘 층을 형성하고, 상기 제 2 다결정 실리콘 층 상에 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 제 2 다결정 실리콘 층을 패터닝하여 상기 제 2 절연층의 표면을 노출시키는 제 2 다결정 실리콘 패턴을 형성하되, 상기 제 2 다결정 실리콘 패턴의 측면에 제 1 비정질 영역이 형성되고, 제 1 재결정화 공정을 수행하여 상기 제 1 비정질 영역을 재결정화 하고, 노출된 상기 제 2 절연층을 제거하여 상기 제 1 다결정 실리콘 층의 표면을 노출시키는 제 2 절연 패턴을 형성하고, 노출된 상기 제 1 다결정 실리콘 층을 제거하여 상기 제 1 절연층의 표면을 노출시키는 제 1 다결정 실리콘 패턴을 형성하고, 및 노출된 상기 제 1 절연층을 제거하여 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키는 제 1 절연 패턴을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 형성 방법이 제안된다. |
